“上车”提速,两家SiC企业产品通过车规级可靠性认证
发布时间:2024-03-15 09:16:47

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·瞻芯电子3款第二代650V SiC MOSFET产品通过车规级可靠性认证

瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认AEC-Q101 Qualified)。瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET芯片,具备业界较低的损耗水平,且驱动电压为15V~18V,兼容性更好。


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3款产品导通电阻分别为25mΩ40mΩ60mΩ,且采用TO247-4封装,可耐受-55°C 175°C工作温度,同时因TO247-4封装具有开尔文源极引脚,而能显著减小栅极驱动电压尖峰。


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瞻芯电子第二代SiC MOSFET产品与工艺平台是依托浙江瞻芯电子SiC晶圆厂开发的, 自20239月份发布第一款第二代SiC MOSFET产品以来,至今已有十几款采用同代技术平台的量产产品。瞻芯电子第二代SiC MOSFET产品,对比上一代产品,通过优化栅氧化层工艺和沟道设计,让器件的比导通电阻降低约25%,能进一步降低器件损耗,提升系统效率。

瞻芯电子采用TO247-4封装的车规级第二代650V SiC MOSFET系列产品,因其具备高速开关,且低损耗,以及良好的驱动兼容性等优秀特性,而能为功率变换系统提供高频、高效率的解决方案,主要适用于电机驱动、光伏逆变器、车载直流变换器DC/DC)、车载充电机(OBC)、开关电源。

 

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·蓉矽半导体SiC MOSFET通过AEC-Q101车规级考核和HV-H3TRB加严可靠性验证

蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核,同时通过了新能源行业头部厂商的导入测试并量产交付。


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蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200VAEC-Q101标准中对H3TRB项目的反偏电压要求通常为100V,而HV-H3TRB考核则需将考核电压提高到960V,蓉矽SiC MOSFET在此次考核中顺利通过了  HV-H3TRB可靠性验证,同时对于应用端特别关注的栅氧可靠性问题,蓉矽的产品通过了VGS=+22V/-8V的严苛HTGB考核,表明器件在在更为极端的应用场景中,也有优秀的稳定性和可靠性,可满足新能源汽车、光伏逆变等领域对功率器件的高质量和车规级可靠性要求。


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蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V,最大可持续电流达75A。产品特点如下:

采用沟道自对准工艺和凸多边形密铺的元胞布局形式,增加沟道密度、降低沟道电阻,提升器件在单位面积内的电流能力;

◎采用多晶硅网络优化技术,充分降低栅极内阻,提高器件在开关过程中对输入电容的充放电速度,降低器件开关损耗;

◎采用结终端优化技术,降低器件在结终端的曲率效应,提高器件耐压能力;采用开尔文源的PAD设置,降低封装中的杂散电感;

 VDD=800V时,短路耐受时间>3μsTO-247-4封装测试开启损耗为635μJ

◎在下图中,A为外商产品,B为国内厂商产品;所对比产品规格接近,封装形式皆为TO-247-3L,驱动电压采用各厂商推荐值,测试结果采用标准化处理且蓉矽产品为“1”。从对比结果可以看出,得益于密勒电容和多晶硅电阻的优化,蓉矽第一代SiC MOSFET在开关损耗上的表现在所有竞品中处于较好水平。

蓉矽SiC MOSFET应用于新能源汽车OBC和直流充电桩模块时,可有效减少器件数量、简化系统、降低损耗、提高效率,推动提高充电速度、实现续航突破。


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